MEM2301系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2301这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2301适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路,这种低损耗可采用小尺寸封装。
MEM2301特点:
• -20V/-2.8A
• RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A
• RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON))
• 超小封装:SOT23
MEM2301应用:
• 电源管理
• 负载开关
• 电池保护
南京微盟MOS管产品列表:
产品名称 通道 VDS(Max) VGS ID 电流 导通电阻 封装形式
MEM2306 NMOS 20V 10V 5A 23mΩ SOP8
MEM2301 PMOS -20V -8V -3.1A 100mΩ SOT23
MEM2303 PMOS -30V -12V -4.3V 50mΩ SOT23
MEM2310 NMOS 30V 12V 5.7A 32mΩ SOT23
MEM2307 PMOS -30V -20V -4.3A 78mΩ SOT23
MEM2309 PMOS -30V -20V -6A 53mΩ SOP8/SOT89
MEM2311 PMOS -30V -20V -6A 53mΩ SOP8
MEM2302 NMOS 20V 8V 3A 29mΩ SOT23
MEM8205 NMOS 20V 12V 6A 20mΩ TSSOP8/SOT26
MEM2318 NMOS 20V 12V 6A 19mΩ TSSOP8/SOT26